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晶硅PK薄膜
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晶硅PK薄膜

晶硅PK薄膜

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单晶硅电池片制绒药液及使用方法
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晶硅电池片制绒药液及使用方法

本发明公开了单晶硅电池片制绒药液及使用方法

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非晶硅薄膜太阳能电池基础知识大全
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非晶硅薄膜太阳能电池基础知识大全

非晶硅太阳电池是 20 世纪 70 年代中期发展起来的一种新型薄膜太阳电池, 与其他太阳电池 相比,非晶硅电池具有以下突出特点: 1).制作工艺简单,在制备非晶硅薄膜的同时就能制作 pin 结构. 2).可连续,大面积,自动化批量生产. 3).非晶硅太阳电池的衬底材料可以是玻璃,不锈钢等,因而成本小. 4).可以设计成各种形式,利用集成型结构,可获得更高的输出电压和光电转换效率.

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采用VHF-PECVD方法高速制备微晶硅材料及其太阳电池的研究
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采用VHF-PECVD方法高速制备微晶硅材料及其太阳电池的研究

高速沉积微晶硅薄膜,实现微晶硅电池的产业化已经成为国际光伏领域研究热点。本论文采用VHF—PECVD技术,以高速制备器件质量级微晶硅材料为目标,系统研究了激发频率和总气体流量对微晶硅薄膜的电学性质及其结构特性的影响;同时也关注了有源层的厚度和气体总流量对微晶硅电池的影响。

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本征微晶硅薄膜和微晶硅电池的制备及其特性研究
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本征微晶硅薄膜和微晶硅电池的制备及其特性研究

:本文对VHF.PEcVD制备的本征微晶硅薄膜和电池进行了电学特性和结构特性方面的测试分析研究。电学测试结果给出制备薄膜的激活能为0.51eV,符合电池对材料的电学参数要求;拉曼散射谱测试结果计算得到样品的晶化率为63%;x射线衍射结果也证明材料晶化,同时(220)方向择优;首次在国内用VHF—PEcVD方法制备出效率为5%的微晶硅电池(^c=2lmA/cm2,yoc=0.46V,FF=51%,A

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VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池
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VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池

采用V HF2PECVD 技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内. 低功率或高功率条件下,电池从n 和p 方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料和电池也有很大的差别,把相应的材料应用于电池上时,这一点很重要.采用V HF2PECVD 技术制备的微晶硅电池效率为5 % ,Voc = 0145V , J

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三洋新型高效晶硅电池技术(HIT)
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三洋新型高效晶硅电池技术(HIT)

三洋新型高效晶硅电池技术(HIT)介绍

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完全的微晶硅太阳能电池——晶硅或者非晶硅电池特性
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完全的微晶硅太阳能电池——晶硅或者非晶硅电池特性

完全的微晶硅太阳能电池——晶硅或者非晶硅电池特性.

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微晶硅薄膜太阳能电池的研究进展
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微晶硅薄膜太阳能电池的研究进展

硅薄膜太阳电池技术是光伏领域最具低成本优势的光伏技术, 目前已成为各国光伏计划支持的重点。相比于 非晶硅电池, 相变区的微晶硅薄膜太阳电池几乎没有光致衰退, 且具有良好的长波段光谱响应特性, 可以和非晶硅薄膜电池相结合制备成叠层电池。而当电池衬底使用柔性薄膜材料后, 薄膜电池的研制工艺技术更具有特殊性。本文回顾了硅基薄膜电池的研究历史,

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非晶硅薄膜太阳能电池及制造工艺
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非晶硅薄膜太阳能电池及制造工艺

一、非晶硅薄膜太阳能电池结构、制造技术简介 二、非晶硅太阳能电池制造工艺 三、非晶硅电池封装工艺

 0 | 上传人:yuqian  2014-02-26 16:48:05 | 热度: 格式:pdf 3210篇相似文档

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薄膜电池与晶硅电池的比较
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薄膜电池与晶硅电池的比较

薄膜电池与晶硅电池的效率、环境适应、生产工艺、成本全方面比较。

 0 | 上传人:Elvin314  2014-02-12 15:20:40 | 热度: 格式:ppt 3210篇相似文档

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多晶硅电池醋酸辅助制绒的研究
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晶硅电池醋酸辅助制绒的研究

多晶硅片表面进行织构化能有效的减少光在太阳电池表面反射造成的损失。多晶硅片表面经过一定比例的HF/HNO3混合液处理后,其表面呈现出凹凸不平的虫孔状表面形态,使太阳光在多晶硅表面形成多次的反射,可以有效的降低多晶硅电池表面的反射率,增强光的吸收,提高多晶硅太阳能电池光电转化效率。

 1 | 上传人:zhangyan  2014-01-23 15:18:20 | 热度: 格式:doc 3210篇相似文档

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砷化镓太阳能光伏电池发展现状分析
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砷化镓太阳能光伏电池发展现状分析

近年来,太阳能光伏发电在全球取得长足发展。常用光伏电池一般为多晶硅和单晶硅电池,然而由于原材料多晶硅的供应能力有限,加上国际炒家的炒作,导致国际市场上多晶硅价格一路攀升,最近一年来,由于受经济危机影响,价格有所下跌,但这种震荡的现状给光伏产业的健康发展带来困难。

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新型高效晶硅电池技术(HIT)
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新型高效晶硅电池技术(HIT)

新型高效晶硅电池技术(HIT)。

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PECVD沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用
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PECVD沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSPCD 测少数载流子寿命,发现少子寿命有很大程度的下降. 还研究了SiN 薄膜对多晶硅电池性

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